我們先來(lái)看三星的路線(xiàn)圖，然后再深入了解其技術(shù)發(fā)展的若干細(xì)節(jié)。

目前，三星自主10nm芯片已應(yīng)用在S8系列手機(jī)中，而從這張路線(xiàn)圖中可以看出，風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)是整個(gè)一年的目標(biāo)，而路線(xiàn)圖左側(cè)和右邊緣并不意味著什么。這很重要，因?yàn)樵谀承┣闆r下，塊的左邊緣被讀取為進(jìn)程的開(kāi)始，而右邊則表示產(chǎn)品或進(jìn)程已準(zhǔn)備好完成。不同的代工廠(chǎng)意味著不同的東西，有時(shí)候，有時(shí)使用相同的短語(yǔ)。風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)、批量生產(chǎn)和實(shí)際產(chǎn)品發(fā)布之間的時(shí)間間隔將根據(jù)有關(guān)產(chǎn)品和加速過(guò)程的變幻莫測(cè)而有所不同。據(jù)悉，三星計(jì)劃在今年下半年試產(chǎn)8nm工藝，在2018年實(shí)現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)，2019年研發(fā)出6nm和5nm工藝，到2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)4nm工藝芯片。

當(dāng)Intel指定在給定節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行批量生產(chǎn)時(shí)，通常會(huì)在1-2個(gè)月內(nèi)啟動(dòng)部件，而當(dāng)臺(tái)積電、三星或GlobalFoundries宣布批量生產(chǎn)時(shí)，下線(xiàn)的芯片仍然需要進(jìn)入各種設(shè)備，然后再經(jīng)過(guò)制造商特定的評(píng)估和測(cè)試。這也許就是三星在去年10月宣布批量生產(chǎn)10nm SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）的原因，但是第一個(gè)在設(shè)備中使用SoC的是三星Galaxy S8（今年4月21日推出），前后經(jīng)過(guò)6個(gè)月時(shí)間。

14nm LPU工藝節(jié)點(diǎn)是三星的第三代14nm技術(shù)，與早期的14nm工藝線(xiàn)相比，LPU節(jié)點(diǎn)的性能提高了15％。這種增量擴(kuò)張是晶圓制造業(yè)務(wù)中的創(chuàng)新技術(shù)。此外，三星提到了EUV光刻與現(xiàn)有的氬氟化光刻（ArF）之間的區(qū)別。三星的8nm節(jié)點(diǎn)最后將擴(kuò)展非EUV生產(chǎn)，嚴(yán)格地將性能提升在10nm以上。除此之外，三星認(rèn)為，面罩計(jì)數(shù)和成本將會(huì)走高，無(wú)法證明非EUV技術(shù)的合理性，而任何未來(lái)非EUV節(jié)點(diǎn)的整體性能將會(huì)比公司計(jì)劃的8nm更差。顯然，如果EUV不及時(shí)推出，代工廠(chǎng)將嘗試提出進(jìn)一步擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)的方法。但三星已在非EUV光刻技術(shù)上進(jìn)行了至少10年光景，同時(shí)采用多圖案化和浸沒(méi)式光刻技術(shù)來(lái)補(bǔ)償EUV持續(xù)開(kāi)發(fā)的困境。

此外，GlobalFoundries也曾談到其在FD-SOI上的投資，該公司預(yù)計(jì)將在FD-SOI上將eMRAM和RF硅片推向市場(chǎng)。眾所周知，蘋(píng)果手機(jī)的芯片代工訂單再次被臺(tái)積電搶奪，三星將臺(tái)積電視為芯片代工最大勁敵，三星特意從芯片制造業(yè)務(wù)中分拆組建新的芯片代工業(yè)務(wù)部門(mén)，并計(jì)劃將在今年第四季度投入工廠(chǎng)運(yùn)營(yíng)，可以看出，三星每走一步都要與全球最大的晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電展開(kāi)一場(chǎng)激烈競(jìng)爭(zhēng)。

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