• 銅半導(dǎo)體—-銅的導(dǎo)電能力比鋁強(qiáng)40%。IBM的研究員率先利用鎢來(lái)制造銅芯片，其運(yùn)行速度大大高于鋁芯片。


• 硅鍺（SiGe）—-硅鍺被應(yīng)用于雙極芯片的生產(chǎn)，取代昂貴的砷化鎵制程。硅鍺技術(shù)使工作頻率、電流、噪音和功率等方面的性能表現(xiàn)得到顯著提高，特別是對(duì)于現(xiàn)代移動(dòng)無(wú)線設(shè)備。


• 絕緣硅（SOI）—-在硅表面和晶體管之間放一層薄絕緣體，可以保護(hù)晶體管免受電效應(yīng)的影響，從而提高性能、降低功耗。


• 應(yīng)力硅—-這種技術(shù)可以拉伸（或延展）硅，從而加速電子流經(jīng)芯片的速度，在不縮小體積的條件下提高性能、降低功耗。如配合絕緣硅使用應(yīng)力硅，可進(jìn)一步提高性能、降低功耗。


• 化學(xué)增強(qiáng)型光阻材料—-此項(xiàng)創(chuàng)新利用靈敏的光敏化學(xué)制劑，將超小電路的性能轉(zhuǎn)移到硅片上，實(shí)現(xiàn)可靠的生產(chǎn)。

    科技獎(jiǎng)?wù)率怯?980年根據(jù)一份國(guó)會(huì)法案設(shè)立的，在1985年首次頒發(fā)。該獎(jiǎng)?wù)碌哪康脑谟趶?qiáng)調(diào)科技創(chuàng)新對(duì)國(guó)家的重要性，激勵(lì)一代又一代的美國(guó)人積極追求科技事業(yè)，以確保美國(guó)始終位于全球科技和經(jīng)濟(jì)的最前沿。IBM上次榮獲科技獎(jiǎng)?wù)率窃?000年，原因是其在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)和信息存儲(chǔ)產(chǎn)品領(lǐng)域的創(chuàng)新。

多易