希捷公司近日演示了其革命性的熱輔助磁記錄技術(shù) (Heat Assisted Magnetic Recording，HAMR)。這種技術(shù)使用激光熱輔助手段，通過磁記錄方式將數(shù)據(jù)記錄到高穩(wěn)定性介質(zhì)上，從而大大提高了每平方英寸的存儲量，使磁記錄極限進一步超越了人們的想象。
希捷在賓夕法尼亞州匹茲堡市新建了一個先進的研究中心，面積達20萬平方英尺。上述的技術(shù)演示就是在為該中心舉辦的盛大落成典禮上進行的。
HAMR結(jié)合了鐵鉑粒子自排列的磁陣列技術(shù)，將把所謂的磁記錄超順磁極限提高100倍以上，最終可以實現(xiàn)每平方英寸50 TB的存儲密度。這意味著，人們可以將美國國會圖書館中所有的印刷內(nèi)容全都存儲到筆記本電腦中的一個硬盤上。
希捷的HAMR技術(shù)還可以在當今硬盤的成本結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，實現(xiàn)高面積密度。這將使其成為將海量存儲不斷應(yīng)用于各種新興市場的一種關(guān)鍵支持技術(shù)。
IDC研究主管Dave Reinsel說：“希捷展示的HAMR技術(shù)，讓我們對未來的磁記錄技術(shù)有了一定的了解。在未來的許多年中，像HAMR這樣的技術(shù)，將使硬盤在主流計算領(lǐng)域繼續(xù)成為首選的大容量儲存設(shè)備。作為傳統(tǒng)磁記錄技術(shù)的競爭性方案，它不僅要具有當今硬盤的快速、大容量和高可靠性的特點，還必須在價格上有競爭力。希捷的HAMR技術(shù)有希望在這些方面保持綜合優(yōu)勢，從而為該技術(shù)普及應(yīng)用打下了基礎(chǔ)?！?/P>
希捷研究中心自1998年在一個臨時的研究地點成立以來，一直從事HAMR和其它各種儲存技術(shù)的研究。去年，美國商務(wù)部的高技術(shù)計劃（Advanced Technology Program）認識到HAMR對存儲發(fā)展的影響，計劃在未來5年內(nèi)向希捷及其研究合作伙伴提供1000萬美元的資助。憑借超前的研發(fā)策略，希捷公司在其目標市場上一直保持領(lǐng)先。
希捷首席執(zhí)行官Steve Luczo說：“希捷的領(lǐng)導地位可以歸功于我們不斷進行的研究和技術(shù)開發(fā)投資，我們能夠向客戶推出快速上市的新產(chǎn)品，這些領(lǐng)先產(chǎn)品使客戶獲得了重要的競爭優(yōu)勢，從而鞏固了我們同世界領(lǐng)先技術(shù)提供商之間的戰(zhàn)略關(guān)系?！?BR>
HAMR的工作原理
當今的硬盤是利用磁頭對旋轉(zhuǎn)的盤片進行數(shù)字數(shù)據(jù)讀寫，而HAMR技術(shù)就是要大幅度地提高這種硬盤的容量。如果存儲密度繼續(xù)顯著增長，在未來五到十年內(nèi)，數(shù)據(jù)位將變得非常小，以至于它們因為超順磁現(xiàn)象而失去磁穩(wěn)定性。解決這個問題的辦法是使用更穩(wěn)定的介質(zhì)，但是現(xiàn)有的磁頭無法將數(shù)據(jù)寫到這類介質(zhì)上。HAMR技術(shù)在將要記錄數(shù)據(jù)位的位置，用激光束精確地加熱介質(zhì)，從而解決了這一問題。對介質(zhì)加熱后，就容易將數(shù)據(jù)寫到它上面了，而且隨后的快速冷卻又可以使已寫入的數(shù)據(jù)變得穩(wěn)定。這種熱輔助記錄技術(shù)大大提高了已有的面密度紀錄。
屢獲“第一”：希捷硬盤技術(shù)一路領(lǐng)先，希捷在過去數(shù)年中取得了許多技術(shù)突破。在當今的許多重要存儲技術(shù)中，希捷擁有很多關(guān)鍵的專利。
從推出世界上第一款7,200、10,000和15,000RPM硬盤，到創(chuàng)下多項存儲面密度紀錄，特別是最近又實現(xiàn)了每平方英寸100GB的面密度，希捷公司正是憑借這些技術(shù)領(lǐng)先而得到了廣泛的認可。希捷的許多業(yè)界“第一”還包括：它率先在硬盤中成功地采用了液態(tài)軸承馬達 (FDB)，相隔5年多以后其競爭對手才嘗試著采用這種技術(shù)；希捷還最先開發(fā)出旋轉(zhuǎn)震動傳感器，并將其應(yīng)用到產(chǎn)品之中，從而使用于關(guān)鍵任務(wù)環(huán)境的企業(yè)級硬盤即使在最苛刻的條件下，也可以保持最佳性能。
