在20號下午的投資者網(wǎng)絡(luò)會議上，英特爾透露其將在明年下半年提供基于3D NAND的SSD產(chǎn)品，技術(shù)則是來自該公司與鎂光(Micron)在閃存合資企業(yè)。據(jù)悉，其能夠在單個MLC核心“平面”(2D)上堆疊32層、共計 256Gb(32GB)的容量。如果采用3-bit(TLC)方案，那么每單元的容量還可以進一步提升至384Gb(48GB)。

英特爾非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理兼高級副總裁Rob Crooke表示：3D NAND有望在接下來的幾年時間里催生10TB級別的SSD產(chǎn)品，甚至封裝厚度只有2mm的1TB存儲(非常適合移動設(shè)備)。

Crooke指出，3D技術(shù)的最大特色是可以在成本上有重大突破，不過英特爾可能不會親自制造3D NAND——即使該公司又能力，但也只會在覺得有意義的時候才會自行生產(chǎn)。