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三星SSD參展“CES2015”并獲創(chuàng)新獎(jiǎng)

任新勃 發(fā)表于:14年11月19日 10:26 [原創(chuàng)] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]全球最大規(guī)模的消費(fèi)電子展“CES 2015”將于2015年1月6日-9日美國(guó)舉行。三星電子將在舉辦“CES 2015”的美國(guó)拉斯維加斯會(huì)議中心設(shè)置大型展位,展示榮獲CES創(chuàng)新獎(jiǎng)的產(chǎn)品及在世界消費(fèi)電子行業(yè)領(lǐng)先的其他產(chǎn)品與技術(shù)。

DOSTOR北京報(bào)道:全球最大規(guī)模的消費(fèi)電子展“CES 2015”將于2015年1月6日-9日美國(guó)舉行。在展會(huì)揭幕前夕,來自國(guó)際知名品牌,三星電子的多款產(chǎn)品榮獲了本次展會(huì)的創(chuàng)新大獎(jiǎng);這其中就包括,世界最大容量,新一代4GB超高速移動(dòng)DRAM(LPDDR4),以及大幅提升使用便利性的1TB攜帶式SSD T1,另外還有保證最佳性能與使用周期的基于第二代全新32層3D V-NAND技術(shù)的850 PRO SSD等多款半導(dǎo)體產(chǎn)品榮獲“CES 2015創(chuàng)新獎(jiǎng)” ,均創(chuàng)下歷史記錄。其中,三星850PRO固態(tài)硬盤(SSD)獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)可謂實(shí)至名歸,全新的3D-V NAND技術(shù)的應(yīng)用,使得該產(chǎn)品成為同行業(yè)中的領(lǐng)軍產(chǎn)品。


“CES創(chuàng)新獎(jiǎng)”由CEA于1976年設(shè)立。該獎(jiǎng)由美國(guó)工業(yè)設(shè)計(jì)師協(xié)會(huì)(IDSA)和CEA專家聯(lián)合授予。在此之后,三星電子將在舉辦“CES 2015”的美國(guó)拉斯維加斯會(huì)議中心設(shè)置大型展位,展示榮獲CES創(chuàng)新獎(jiǎng)的產(chǎn)品及在世界消費(fèi)電子行業(yè)領(lǐng)先的其他產(chǎn)品與技術(shù)。

此次榮獲“CES 2015創(chuàng)新獎(jiǎng)”的三星850PRO固態(tài)硬盤產(chǎn)品,其采用的全新32層3D V- NAND技術(shù)不僅使得該產(chǎn)品擁有極高的讀寫速度,更能夠?yàn)樵撓盗挟a(chǎn)品提供更加持久的質(zhì)量保證。

此前應(yīng)用在SSD產(chǎn)品中的閃存芯片,所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所使用的,該技術(shù)最大的瓶頸就在于,臨近存儲(chǔ)單元的堆放密度極限,如何在同等面積下容納更多的存儲(chǔ)單元成為了SSD升級(jí)面臨的最大問題。由三星自主開發(fā)的32層堆疊,3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn),完美的解決了這個(gè)問題;該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式,通過改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù),在一個(gè)3D的空間內(nèi)垂直互連各個(gè)層面的存儲(chǔ)單元,使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲(chǔ)空間。這樣的設(shè)計(jì),我們可以通俗的理解成,在單位空間內(nèi),晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的,就好比在一塊土地上蓋房子,如果是采用平房結(jié)構(gòu),那么就會(huì)降低土地的利用率,要是采用樓房的形式,就會(huì)大大提升單位面積的利用率。

而且,三星全新的32層 3D V-NAND技術(shù),可以垂直堆疊更多個(gè)存儲(chǔ)單元,從而提高密度,降低碳足跡,并且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度,使得該產(chǎn)品最快讀寫速度均在500M每秒以上。而且還使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命,較之SLC閃存延長(zhǎng)至兩倍以上,全新的三星3D V-NAND技術(shù)使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負(fù)荷大大提升。每天可應(yīng)對(duì)40GB以上的超大容量,這樣的工作負(fù)荷等同于寫入150TB(TBW),確保了SSD具有更長(zhǎng)的使用壽命;這也是三星850 PRO SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質(zhì)保的最大技術(shù)保障。

除了在閃存方面的技術(shù)提升,三星850 PRO固態(tài)硬盤,在主控方面采用了三星全新研發(fā)生產(chǎn)的S4LN045X01-8030(MEX)主控制器,它屬于ARM架構(gòu)的三核處理器,具備更強(qiáng)悍的多任務(wù)、多路數(shù)據(jù)讀寫傳輸能力。主要提高在算法設(shè)計(jì)和CPU的頻率。與之前的300MHz MDX三核主控相比,850PRO的MEX主控的頻率提高到400MHz。

此次三星存儲(chǔ)產(chǎn)品以及其它多款產(chǎn)品榮獲”CES2015創(chuàng)新獎(jiǎng)“可謂實(shí)至名歸,三星電子北美總括李宗錫 (Gregory Lee)副社長(zhǎng)表示:“三星電子致力于為世界各地消費(fèi)者提供全新的使用體驗(yàn),消費(fèi)者在‘CES 2015’現(xiàn)場(chǎng)將會(huì)看到三星電子的最新成果。”

作為消費(fèi)者,相信三星電子產(chǎn)品,一定會(huì)在提高消費(fèi)者使用體驗(yàn)方面做出更大的創(chuàng)新,同時(shí)也期待三星存儲(chǔ)能夠?yàn)槊恳晃幌M(fèi)者提供更加完善,更加便捷的產(chǎn)品體驗(yàn)。

[責(zé)任編輯:任新勃]
任新勃
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