三星電子已經(jīng)連續(xù)推出了兩代采用3D堆疊技術(shù)的V-NAND閃存，分別有24、32層，相關(guān)固態(tài)硬盤產(chǎn)品也在消費級、企業(yè)級市場上頻頻露面，但一直都是MLC規(guī)格的，很多人都在等待三星的3D TLC，畢竟韓國巨頭是第一個把這種廉價閃存推向商業(yè)化的，始終都很賣力。

近期三星表示，已經(jīng)對3D TLC閃存芯片進行了量產(chǎn)，相信不久之后也會有響應(yīng)的SSD出現(xiàn)。不過TLC閃存的SSD一般價格都是很便宜的，相信之后還會有價格更低的大容量SSD出現(xiàn)。

不過，三星似乎不太喜歡TLC這個名稱，官方一直說是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)，同樣垂直堆了多達32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。TLC V-NAND的量產(chǎn)有利于通用PC上SSD的普及和企業(yè)更為嚴苛的存儲需求，這給三星在閃存的市場占位提供了極大的競爭力。

具體制造工藝沒說，但看起來應(yīng)該是1xnm級別的。三星稱，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產(chǎn)能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。