三星全新850PRO固態(tài)硬盤，從推出到現(xiàn)在，一直是眾多DIY玩家以及新老用戶的關(guān)注焦點。500M/s以上超高速的讀寫、優(yōu)秀的性能、完美的兼容體驗，使得該系列產(chǎn)品迅速成為了眾多存儲產(chǎn)品中的佼佼者。目前，國內(nèi)最大電商網(wǎng)站，京東商城全網(wǎng)首發(fā)三星850PRO系列產(chǎn)品256GB、512GB兩個容量。真可謂全新產(chǎn)品，全新體驗。


 
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作為全球最快固態(tài)硬盤產(chǎn)品，三星850PRO系列不僅性能出色，其十年質(zhì)保承諾更是業(yè)內(nèi)翹楚，十年的質(zhì)保支持，源于三星850PRO產(chǎn)品的強大技術(shù)支持，此前閃存芯片所采用的2D平面型NAND技術(shù)是眾多SSD廠商所采用的，該技術(shù)最大的瓶頸就在于，臨近存儲單元的堆放密度極限，如何在同等面積下容納更多的存儲單元成為了SSD升級面臨的最大問題。不過由三星自主開發(fā)的3D V-NAND技術(shù)的出現(xiàn)，完美的解決了這個問題；該技術(shù)采用不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，通過改進(jìn)型的Charge Trap Flash 技術(shù)，在一個3D的空間內(nèi)垂直互連各個層面的存儲單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲空間。這樣的設(shè)計，我們可以通俗的理解成，在單位空間內(nèi)，晶體管的容量是以立體形式堆疊出現(xiàn)的，就好比在一塊土地上蓋房子，如果是采用平房結(jié)構(gòu)，那么就會降低土地的利用率，要是采用樓房的形式，就會大大提升單位面積的利用率。

而且，三星全新的3D V-NAND技術(shù)，可以垂直堆疊更多個存儲單元，從而提高密度，降低碳足跡，別且還能可提供兩倍于傳統(tǒng)20nm平面NAND閃存的密度和寫入速度。使得32層3D V-NAND閃存的使用壽命較之SLC閃存延長至兩倍以上，全新的三星3D V-NAND技術(shù)使得全新的SSD產(chǎn)品的工作負(fù)荷大大提升，每天可應(yīng)對40GB以上的超大容量，這樣的工作負(fù)荷等同于寫入150TB（TBW），確保了SSD具有更長的使用壽命；這也是三星全新SSD產(chǎn)品能夠在業(yè)內(nèi)率先提供10年質(zhì)保的最大技術(shù)保障。
 
此次三星850PRO系列大容量產(chǎn)品首發(fā)京東商城，使得850PRO系列的可選性更加豐富，對于不用用戶需求也能全面滿足，相信三星850PRO產(chǎn)品會為你的工作于學(xué)習(xí)提供更加便捷快速的產(chǎn)品體驗。