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NVMe vs AHCI:PCIe的又一次勝利

朱朋博 發(fā)表于:14年06月23日 16:59 [翻譯] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]低延遲、CPU性能釋放打破IOPS瓶頸、節(jié)能應(yīng)該成為你對(duì)NVMe 的第一印象,NVMe 與 AHCI的對(duì)比是PCIe的又一次勝利。

性能的提升從來(lái)都不能只依賴硬件,更好的硬件往往用來(lái)彌補(bǔ)軟件的短板,硬件也需要更多高效的軟件來(lái)發(fā)揮硬件的真正價(jià)值。這一道理同樣適用于固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。PCIe的出現(xiàn),帶寬急劇增長(zhǎng),為了充分利用更快的物理接口,我們需要一些專門(mén)為SSD和PCIe優(yōu)化過(guò)的軟件接口。

高級(jí)主機(jī)控制器接口(AHCI)的歷史可以追溯到2004年,它設(shè)計(jì)之初面向的是機(jī)械硬盤(pán),所以這套東西跟固態(tài)硬盤(pán)完全不搭調(diào)。它針對(duì)高延遲的機(jī)械磁盤(pán)做優(yōu)化,而不是對(duì)低延遲的非易失性存儲(chǔ)做優(yōu)化。AHCI不能完全發(fā)揮固態(tài)硬盤(pán)的優(yōu)勢(shì),又因?yàn)橐訬AND 和MRAM為代表的非易失性存儲(chǔ)是大勢(shì)所趨,所以非常有必要開(kāi)發(fā)一種軟件接口來(lái)突破AHCI的限制。

于是NVMe順勢(shì)而生。NVMe當(dāng)中,NVM是指非易失性存儲(chǔ),后面的Express簡(jiǎn)寫(xiě)為e,也可以參考PCIe的e。NVMe的開(kāi)發(fā)由擁有80個(gè)成員的業(yè)界聯(lián)盟和包括像Intel, Samsung,和 LSI這樣的行業(yè)巨頭攜手推進(jìn)。NVMe為固態(tài)硬盤(pán)和PCIe而生,就像軟件接口至少可以存在十年,NVMe被行業(yè)賦予迎合未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的崇高使命。有消息顯示,我們或許會(huì)在2020年前看到RRAM 和MRAM涌入市場(chǎng)。

數(shù)據(jù)來(lái)源:Intel

NVMe的一大優(yōu)勢(shì)就是低延遲。這主要是因?yàn)榱骶型的存儲(chǔ)堆棧,NVMe無(wú)需讀取寄存器就可以發(fā)出命令。AHCI的每個(gè)命令都需要讀取4個(gè)不可緩存寄存器,從而導(dǎo)致大約2.5μs的額外延遲。


另一個(gè)重大的改進(jìn)就是支持多隊(duì)列和支持更高的隊(duì)列深度。多隊(duì)列讓CPU的性能得到更好的釋放,單核再也不是IOPS的瓶頸了。

來(lái)源:微軟

企業(yè)級(jí)市場(chǎng)很明顯是NVMe推出之后的最大受益者,如今的高工作負(fù)載實(shí)在讓SATA/AHCI吃不消。消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的影響就沒(méi)有那么明顯了。即使是不太重大的性能改善也可延長(zhǎng)電池的使用壽命,NVMe的低延遲使得硬盤(pán)工作時(shí)間大大縮短,閑置時(shí)間的增多也就延長(zhǎng)了電池的使用壽命。要是出現(xiàn)更好的隊(duì)列支持技術(shù),這也必將帶來(lái)會(huì)更卓越的性能。

來(lái)源:Intel

NVMe可以把延遲時(shí)間縮短為當(dāng)前100µs的五分之一,這是一個(gè)巨大的進(jìn)步,對(duì)日常生活的使用中也會(huì)有很大影響。新技術(shù)在企業(yè)級(jí)上的應(yīng)用總是快人一步,目前也沒(méi)幾個(gè)消費(fèi)級(jí)的PCIe固態(tài)盤(pán)支持NVMe ,Windows和Linux下的NVMe驅(qū)動(dòng)在也已經(jīng)可以在官網(wǎng)找到,差不多到了各家OEM廠商發(fā)布各種SSD的時(shí)候了。

[責(zé)任編輯:朱朋博]
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