IBM與富士膠卷已經公布一款154TB LTO磁帶庫的演示方案，并將在未來十年內正式投放市場。

盡管這一容量水平低于索尼的185TB，但憑借著自身強大的磁帶合作關系網、IBM完全有機會將索尼一舉逐出角斗擂臺。

索尼開發(fā)的解決方案擁有每平方英寸148Gb的存儲密度，這意味著其磁帶設計成果足以在無需壓縮技術的輔助下實現(xiàn)185TB容量。IBM則一直與富士膠卷公司對現(xiàn)有鋇鐵磁帶進行改進，并最終實現(xiàn)了每平方英寸85.9Gb的優(yōu)秀成績。

IBM方面表示，其研究人員已經開發(fā)出：

來自蘇黎世的IBM研究人員們自2002年開始就一直在與富士膠卷通力合作，旨在將磁帶存儲密度推向新的高度。直到 2012年，我們才接觸到125TB磁帶項目，其單位存儲密度為每平方英寸100Gb。2010年，擁有35TB原始容量的磁帶首次得到證實——相比之 下，如今的LTO-6磁帶庫只提供21.5TB原始容量。

存儲密度的步步提升依賴于更加小巧的磁性顆粒、更狹窄的磁軌（意味著同樣尺寸的磁帶中能夠容納更多磁軌）再加上更優(yōu)秀的讀�。簩懭氪蓬^以完成以這些磁軌為核心的讀出寫入操作。在此次公布的154TB展示方案中，讀取磁頭的寬度僅為90納米。

INSIC 2012至2022年國際磁帶存儲路線圖第51頁圖表修改版

感興趣的朋友可以點擊此處并前往第51頁查看這份圖表的原始版本（PDF格式）。

IBM公司的研究人員自信能夠利用濺射介質進一步突破每平方英寸85.9Gb存儲密度水平，但他們表示“只有低成本顆粒介質的潛力被充分發(fā)揮之后”才轉向這條道路。

索尼的185TB磁帶研究項目確實使用了濺射介質與“一套全新真空薄膜成形系統(tǒng)，能夠將納米晶層均勻地鋪成厚度不足5微米的單層。”

濺射是一種處理工藝，即讓來自原料源片的原子飛濺并射向真空空間內的靶（基片）原料處，過程中源片需要受到高能粒子的轟擊。這種自由原子會對首先觸及的表面進行侵蝕。

IBM公司在聲明中提供了一份圖片，可以看到這項全新磁帶技術將于2024年投放市場。

評論

我們的觀點:配備LTO連接機制，IBM研發(fā)的這項技術能夠有效對抗索尼公布的令人印象深刻的185TB磁帶存儲方案。預計再經過一系列LTO容量迭代，我們很可能在LTO-22中實現(xiàn)154TB這一革命性成績。

不過如果IBM所提供的圖表及其2024發(fā)展數(shù)據(jù)準確無誤，那么LTO迭代（一般來說每三十個月?lián)Q代一次）將帶來超過雙倍的容量提升。

由此推論可知：如果磁帶密度能夠每三十個月實現(xiàn)容量倍增，那么它的密度發(fā)展步伐將把磁盤遠遠甩在身后、并成為歸檔存儲介質的不二選擇。