看看這個，號稱是PCIe閃存鞭撻者，它很適用于DIMM。Diablo聲稱，在收集無用單元方面，PCIe已經(jīng)成為多級單元閃存的瓶頸。

Diablo向PCIe閃存用戶和供應(yīng)商發(fā)出了一條壞消息：“我們將向你介紹一種更優(yōu)秀、更快速和運行更穩(wěn)定的技術(shù)。”

Diablo為閃迪旗下的SMART Storage子公司提供內(nèi)存通道存儲（MCS）技術(shù)。它已經(jīng)與超微（Supermicro）和IBM（很快就會是聯(lián)想）達(dá)成了OEM協(xié)議，為其x86服務(wù)器提供ULLtraDIMM技術(shù)。

那些閃存芯片是作為DIMM供應(yīng)的，DIMM與服務(wù)器內(nèi)存總線相連。與PCIe連接的閃存卡相比，內(nèi)存總線與CPU和DRAM之間的距離更近，延時更短。 

Diablo抨擊PCIE閃存瓶頸問題

Diablo聲稱，測試表明，從PCIe帶寬的角度來說，端到端企業(yè)存儲性能與系統(tǒng)內(nèi)部是否有瓶頸問題有很大關(guān)系。

它在白皮書中稱，其中存在著一個關(guān)鍵的缺陷，它是一個普遍存在的瓶頸問題，限制了基于PCIe的存儲設(shè)備的性能和可擴展性。

它還說，很多PCIe閃存卡利用一個單獨的大ASIC來收集無用單元，通過同時刪除很多閃存芯片上的數(shù)據(jù)來釋放存儲單元。在I/O負(fù)載很大的情況下，“大ASIC”這種解決方案就會引發(fā)瓶頸問題。這會造成延遲時間變長，因為控制器ASIC不能與增長的計算負(fù)載保持同步。

Diablo的白皮書中包括了單級單元和多級單元閃存在各種讀寫IO條件下的IOPS和延時對比圖表，數(shù)據(jù)表明多級單元PCIe閃存卡的延時會隨著IOPS性能的增長而顯著增加。

文件指出：

與單級單元閃存相比，多級單元閃存的耐寫性能相對更低，而且需要更多的糾錯。因此損耗均衡（wear-levelling）、無用單元收集和糾錯都變得更普遍和計算密集型。結(jié)果媒體管理就會在基于多級單元的解決方案中引發(fā)一個瓶頸問題。由于這個瓶頸，高速PCIe接口的參數(shù)可能就會誤導(dǎo)客戶。

由于這個原因，在上述圖表中所舉的70/30 讀/寫應(yīng)用方案中，由于讀和寫是交錯進行的，相關(guān)的瓶頸會影響到所有的請求提交。PCIe接口能力尚未確定，因為被用到的PCIe帶寬只有一小部分（30%）。

與存在大ASIC瓶頸問題的PCIe閃存不同，MCS閃存DIMM存取數(shù)據(jù)是同時進行的。MCS DIMM在多內(nèi)存控制器通道很流行，各種媒體管理任務(wù)分散在那些通道各處。

Diablo在下圖中將它的FlashDIMM與PCIe多級單元閃存卡進行了對比：

Diablo MCS閃存與PCIe多級單元的對比

Diablo聲稱，MCS系統(tǒng)可以將讀數(shù)據(jù)性能提升至遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PCIe固態(tài)硬盤的程度。…極大地提升寫數(shù)據(jù)性能。…并且在混合負(fù)載對比中處于領(lǐng)先。

它沒有透露PCIe閃存卡的制造商和供應(yīng)商的名稱，Diablo顯然已經(jīng)制定好營銷計劃。它的白皮書顯然會招致PCIe閃存卡供應(yīng)商的反駁。Fusion-io？閃迪？是的。就象閃迪的PCIe企業(yè)固態(tài)加速卡一樣。這些高速PCIe SSA配備了一款專利保護的控制器，可以極大地提升處理大數(shù)據(jù)請求的能力、緩解I/O瓶頸問題和增加帶寬。

讀數(shù)據(jù)增強型產(chǎn)品使用的是多級單元閃存。Diablo希望，PCIe閃存卡開支轉(zhuǎn)向MCS閃存將增加公司的收入。