適用于工廠自動(dòng)化控管、測(cè)驗(yàn)儀器及工業(yè)設(shè)備

香港商富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣布成功開(kāi)發(fā)全新FRAM產(chǎn)品 MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體 (128K字元X 8位元)，是所有富士通半導(dǎo)體I2C序列介面產(chǎn)品中最高記憶體容量的產(chǎn)品，即日起可為客戶提供樣品。MB85RC1MT保證有十兆次寫(xiě)入/刪除 (write/erase) 周期，適用于需要經(jīng)常重覆寫(xiě)入資料之應(yīng)用，例如工廠自動(dòng)化、測(cè)試儀器及工業(yè)設(shè)備所需之即時(shí)資料登錄應(yīng)用�，F(xiàn)在富士通半導(dǎo)體同時(shí)擁有廣泛的I2C與SPI序列介面產(chǎn)品系列，為客戶提供最符合他們要求的非揮發(fā)性記憶體產(chǎn)品。

FRAM是一種兼具非揮發(fā)性與隨機(jī)存取功能的記憶體，能在沒(méi)有電源的情況下可儲(chǔ)存及高速寫(xiě)入資料。值得注意的是，在眾多非揮發(fā)性記憶體技術(shù)中，F(xiàn)RAM能保證一兆次以上的寫(xiě)入/刪除周期。富士通半導(dǎo)體自1999年開(kāi)始量產(chǎn)FRAM產(chǎn)品以來(lái)，已將上述產(chǎn)品特性廣泛應(yīng)用在工廠自動(dòng)化設(shè)備、測(cè)試儀器、金融終端機(jī)及醫(yī)療裝置等領(lǐng)域。

MB85RC1MT可在攝氏零下40度至85度的溫度范圍以1.8至3.3伏特工作電壓運(yùn)作，可支援「高速」操作頻率模式，并可在傳統(tǒng)EEPROM相同的3.4MHz及1MHz環(huán)境進(jìn)行讀寫(xiě)資料作業(yè)。MB85RC1MT保證有十兆次寫(xiě)入/刪除周期，大幅超越傳統(tǒng)EEPROM之寫(xiě)入/刪除周期次數(shù)，并可支援I2C介面及其他介面產(chǎn)品之即時(shí)資料登錄等頻繁的重覆寫(xiě)入資料作業(yè)。

此外，EEPROM和微控制器等已采用其他I2C介面產(chǎn)品的應(yīng)用，現(xiàn)在都可以新款的FRAM產(chǎn)品取而代之，可透過(guò)高頻率資料登錄實(shí)現(xiàn)高精度資料擷取，并能夠降低資料寫(xiě)入作業(yè)所需的功耗

MB85RC1MT產(chǎn)品陣容可搭載I2C 介面(支援4 Kb至1 Mb記憶體容量)或SPI介面(16 Kb至2 Mb記憶體容量)，大幅增加了富士通半導(dǎo)體的FRAM產(chǎn)品陣容 。這些FRAM系列產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8針腳SOP封裝，因而可取代EEPROM或序列快閃記憶體，并適用于工廠自動(dòng)化、測(cè)試儀器及工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用，更無(wú)須大幅修改電路版的設(shè)計(jì)。

富士通半導(dǎo)體將持續(xù)開(kāi)發(fā)FRAM產(chǎn)品以滿足客戶對(duì)低功耗產(chǎn)品之需求，例如需求日益增加的能量采集應(yīng)用，其中低工作電壓是關(guān)鍵要素。