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技術(shù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展 數(shù)據(jù)存儲現(xiàn)狀將改變

中關(guān)村在線 發(fā)表于:14年02月07日 10:53 [綜述] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]大概每十年左右,一些技術(shù)趨勢就會走到一起,這可能會改變我們使用和訪問存儲的方式。目前,一些技術(shù)的變化發(fā)生給存儲行業(yè)帶來了改變。
CPU廠商方面

大概每十年左右,一些技術(shù)趨勢就會走到一起,這可能會改變我們使用和訪問存儲的方式。目前,一些技術(shù)的變化發(fā)生給存儲行業(yè)帶來了改變。

磁盤驅(qū)動器在過去幾十年甚至更長的時間一直是主要的存儲設(shè)備,接口從IPI-2到IPI-3 SCSI,光纖通道,到現(xiàn)在的SAS接口,一直在不斷的前進。這與英特爾處理器發(fā)展有很大關(guān)系! 

雖然目前,硬盤廠商僅有希捷,東芝和WD這三家廠商,英特爾、ARM和AMD也并不生產(chǎn)磁盤驅(qū)動器,但是他們卻又很多技術(shù)是重疊的。例如,所有的存儲控制器的使用都必要滿足CPU的支持。

如今,云計算和大數(shù)據(jù)的到來,讓IT技術(shù)發(fā)展速度更快,而行業(yè)的變化也將對整個存儲行業(yè)帶來巨大的而影響。

我們先看一下CPU廠商在未來的發(fā)展。

如今,CPU廠商都計劃都直接在主板上保持更多的溝通。相比于過去十年,越來越多的技術(shù)被移動到插槽中,今天的USB接口,PCIe接口,以太網(wǎng)以及其他的接口,這種直接與CPU直接相連的方式能夠提供更出色的性能。

對于CPU的另一大要求就是與內(nèi)存的連接,今天我們服務(wù)器中用的內(nèi)存有L1,L2和高速的L3緩存,然而在未來,有可能出現(xiàn)更多的層次,尤其是在哪些超越DDR哪里,將可能采用非易失性內(nèi)存的區(qū)域。

隨著時間的發(fā)展,CPU的速度將對整個行業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生深遠的影響,在SOC芯片上將會增加更多的系統(tǒng)。

存儲方面

在存儲方面,我認為未來也會有一個較大的變化;氐20世紀(jì)70、80年代,那時候有許多不同類型的驅(qū)動器接口和大量的驅(qū)動器廠商,如今,只有希捷,東芝和西部數(shù)據(jù),同時,還有一些SSD廠商,當(dāng)然也有一些廠商制作PCIe接口的固態(tài)硬盤并使用新的NVM Express標(biāo)準(zhǔn)。

有些人說,我們不在需要SAS或SATA了,但這并不可能的,固態(tài)硬盤并不會對數(shù)百TB的存儲空間帶來多大的影響。

所以,未來數(shù)據(jù)存儲會發(fā)生什么變化呢?

我認為我們將看到以下變化:

1,我們將看到一個為桌面應(yīng)用程序設(shè)計的低功耗處理器,這將在所有的處理器廠商中發(fā)生,從ARM到英特爾。而有可能會有新一種處理器類型出現(xiàn),如果它來自中國,我也不會感到太驚艷。

2,低功耗處理器可能與非易失性存儲,并關(guān)閉某些類型的總線。就目前來說,英特爾似乎并不會改變,其至少仍會使用SATA或SAS。但是對于ARM和其它類型的處理器來說,目前尚不清楚,但有可能會給我們驚喜。

3,早在2000年代中期,我是T10對象存儲設(shè)備(OSD)的堅定支持者,但這項技術(shù)在經(jīng)濟衰退后就再也沒出現(xiàn)過,也沒有T10 OSD磁盤產(chǎn)品在市場上。在同一時間段的REST接口已經(jīng)起飛,快速的占據(jù)了個人到企業(yè)級。從長遠來說,REST將成為市場的主導(dǎo)力量。

在未來5年,存儲行業(yè)也許將會有一個大變化。
[責(zé)任編輯:朱朋博]
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