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SMART Storage:超級DIMM整合可實現(xiàn)超優(yōu)閃存解決方案

wangfei 發(fā)表于:13年08月13日 14:00 [編譯] DOIT.com.cn

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[導(dǎo)讀]速度超快的閃存數(shù)據(jù)存取技術(shù)就要面市了,SMART Storage利用Diablo Technologies的MCS TeraDIMM技術(shù)將一款類似于DIMM的閃存產(chǎn)品與主機(jī)存儲器總線連接在一起。

存儲在線編譯文章:速度超快的閃存數(shù)據(jù)存取技術(shù)就要面市了,SMART Storage利用Diablo Technologies的MCS TeraDIMM技術(shù)將一款類似于DIMM的閃存產(chǎn)品與主機(jī)存儲器總線連接在一起。

與目前市面上的固態(tài)存儲和PCIe閃存卡相比,SMART的ULLtraDIMM的延時非常低。它完全秉承了MCS TeraDIMM的超低延時性能。

SMART Storage的ULLtraDIMM

SMART稱,ULLtraDIMM采用19納米 NAND工藝制造,容量分為200GB和400GB兩種,它的延時還不到5?s,可以提供150000讀數(shù)據(jù)IOPS和65000寫數(shù)據(jù)IOPS的性能。如果每天進(jìn)行10次全盤寫數(shù)據(jù)操作,ULLtraDIMM可以使用5年的時間,平均無故障時間長達(dá)200萬小時。

如果將多塊ULLtraDIMM整合在一起使用,IO性能還將按比例提高,但是延時基本保持不變。SMART稱,ULLtraDIMM的延時大概只有現(xiàn)有的PCIe閃存產(chǎn)品的一半。 它的延時之所以比PCIe閃存產(chǎn)品更低,是因為使用MCS的設(shè)計時,通向存儲器總線的I/O通道相對有所縮短,因此加快了反應(yīng)速度。

SMART的ULLtraDIMM隨著IOPS性能的上升,延時基本保持不變

SMART Storage稱,其Guardian技術(shù)可以支持MLC NAND,那樣就無需使用價格昂貴的企業(yè)級MLC閃存,從而將其耐用性提高到每天10次全盤寫數(shù)據(jù)的水平。

性能很重要

SMART稱,兩臺服務(wù)器共用一塊使用eMLC和SLC閃存的1.2TB PCIe固態(tài)硬盤可以從閃存中獲得225000IOPS的性能,可以在2000?s的延時情況下運行128個線程。這兩臺服務(wù)器的每個CPU配備了4個400GB的ULLtraDIMM,它們可以從閃存中獲得120萬IOPS的性能,即每塊ULLtraDIMM提供150000IOPS,從而可以在700?s的延時情況下運行1024個線程。

SMART是這樣解釋的:為服務(wù)器配備2.5倍閃存就可以將性能提高5倍(閃存IOPS),并將工作量(線程數(shù)和延時數(shù))提高9倍。

我們在寫給SMART Storage的技術(shù)營銷主管Esther Spanjer的電子郵件中向她提出了關(guān)于ULLtraDIMM性能的問題:“你可以預(yù)計Diablo/SMART ULLtraDIMM能夠回應(yīng)的數(shù)據(jù)存取指令比P420m更多,也就是說它的IOPS性能會更高。 然而情況并非如此。一塊1.2TB的P420m可以提供750000IOPS的性能,而1.2TB的ULLtraDIM只能提供450000IOPS的性能,為什么會這樣呢? 我相信這兩款產(chǎn)品使用了同類MLC閃存。為什么ULLtraDIMM在IOPS性能上無法與P420m相提并論呢?”

她的回答是:

決定某一時刻使用的閃存通道數(shù)量的是另一個因素。ULLtraDIMM上的控制器使用的閃存通道數(shù)更少一些,因為DIMM模塊上安裝的物理閃存比PCIe卡上的物理閃存要少一些。 另一個因素可能在與基礎(chǔ)架構(gòu)本身。美光科技的PCIe閃存卡使用的是原裝PCIe控制器,它可以將PCIe協(xié)議/信號直接傳遞給閃存芯片。 ULLtraDIMM是使用DDR接口的第一代產(chǎn)品,它使用了一款協(xié)議轉(zhuǎn)換器。我們在DIMM模塊上安裝了兩個芯片,一個是DDR3-to-閃存的控制器芯片,一個是與閃存芯片通訊的閃存控制器芯片。

在單位IOPS性能成本問題上,Spanjer解釋說:

看待這個問題的另一個方法是,使用一塊ULLtraDIMM,要想達(dá)到那個IOPS性能水平,你要花多少成本。由于ULLtraDIMM的價格比PCIe閃存卡要低一些,因此你實際上可以通過增加ULLtraDIMM的數(shù)量來達(dá)到要求的IOPS性能水平(在這種情況下,我們需要5塊ULLtraDIMM才能達(dá)到750000IOPS的性能水平)。

重要的是,我們可以增加系統(tǒng)中的ULLtraDIMM的數(shù)量來調(diào)整I/O性能水平,而且不會影響延時性能。這樣做的理由是,這不會爭用DDR總線的總線資源,對于基于PCIe閃存卡的設(shè)備來說,這是完全不可能的,因為他們必須經(jīng)過I/O hub并且會造成總線爭用和增加延時的后果。 那就是與存儲器總線直接相連的優(yōu)勢,目前市面上還沒有其他任何設(shè)備能夠具備同樣的優(yōu)勢。

… 美光科技沒有公開其P420m PCIe閃存卡的耐用性參數(shù),因此我只能假設(shè)它們使用的是沒有任何耐用性的商品級MLC閃存。即使你假設(shè)每GB價格相同,我們的產(chǎn)品在TCO方面仍然更具成本效益,因為我們增加了耐用性。 那意味著,按照現(xiàn)有的基礎(chǔ),你可以將DIMM的存儲容量提高一倍至2.4TB,而且價格仍將比美光科技的閃存卡要低一些。”

ULLtraDIMM目前已經(jīng)支持Windows Server 2008/12、紅帽Linux和SUSE Linux以及VMware。使用這些ULLtraDIMM無需對應(yīng)用軟件作任何改變。

潛在應(yīng)用領(lǐng)域包括財經(jīng)服務(wù)、數(shù)據(jù)庫和云、虛擬化、刀片服務(wù)器和大數(shù)據(jù)分析,ULLtraDIMM既可以作為塊設(shè)備來使用,也可以作為內(nèi)存擴(kuò)展設(shè)備來使用。

SanDisk正在收購SMART Storage,由于SMART是東芝NAND的用戶,而東芝和SanDisk在NAND制造業(yè)務(wù)上是合作伙伴的關(guān)系,因此從某種意義上來說,SanDisk將要收購的其實是其合作伙伴的客戶。

SMART稱,ULLtraDIMM正在接受一線OEM廠商和許多財富500強(qiáng)企業(yè)的資格驗證。

這項產(chǎn)品技術(shù)有可能為SMART ULLtraDIMM閃存產(chǎn)品提供一項重要的數(shù)據(jù)存取速度優(yōu)勢。它有可能為企業(yè)客戶提供一種新的解決方案,它的速度與軟件增強(qiáng)的Fusion-io閃存產(chǎn)品相當(dāng)?shù)幌驠usion-io軟件那么復(fù)雜。

[責(zé)任編輯:鄭磊]
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