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美光公司正在研發(fā)一款與DDR4相兼容的混合型DRAM-NAND存儲(chǔ)條，欲以此為契機(jī)沖擊數(shù)據(jù)處理領(lǐng)域一直以來由競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的閃存緩存產(chǎn)品支撐的PCIe總線方案。

DDR4是一套由JEDEC(即電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì))推出的標(biāo)準(zhǔn)化規(guī)范，其每秒數(shù)據(jù)塊傳輸量達(dá)到至少21億個(gè)數(shù)據(jù)塊(數(shù)據(jù)塊的大小取決于內(nèi)存芯片的字節(jié)長度)，這樣的性能表現(xiàn)令DDR3望塵莫及。根據(jù)EE Times發(fā)布的報(bào)告，美光公司有信心在18個(gè)月內(nèi)將其混合型產(chǎn)品推向市場(chǎng)。

由硅材質(zhì)打造的內(nèi)存-閃存集合體將作為混合型動(dòng)態(tài)直插式內(nèi)存模塊(縮寫與常見的DIMM一致)投入使用，下圖所展示的即為由三星公司推出的DDR4模塊。

美光公司的混合型DIMM通過控制器芯片繼承了高速DRAM與非易失性NAND存儲(chǔ)兩者的優(yōu)秀基因。下圖顯示的正是這款產(chǎn)品的運(yùn)作概念：

美光DDR4總線HDIMM概念圖

在概念圖中，混合型DIMM(簡稱HDIMM)控制器將與服務(wù)器中的DDR4總線相接駁，用于處理DRAM與NAND在訪問過程中由延遲所帶來的誤差。而在制造商打算將NAND閃存替換為相變內(nèi)存時(shí)，我們也可以對(duì)非易失性內(nèi)存(簡稱NVM)控制器進(jìn)行更新以適應(yīng)新的工作機(jī)制。由于板件本身同時(shí)承載了DRAM與NVM，它就能夠在保持DRAM速度優(yōu)勢(shì)的同時(shí)利用NVM的數(shù)據(jù)非易失特性。

但是這么做到底有何意義?DRAM的訪問時(shí)間通常以納秒計(jì)(即十億分之一秒)，而NAND的訪問時(shí)間則以微秒計(jì)(即百萬分之一秒)——在存儲(chǔ)領(lǐng)域，NAND已經(jīng)擁有相當(dāng)高的普及度，但DRAM卻始終打不開局面。換言之，為了獲得可以接受的存儲(chǔ)容量，我們不得不放棄內(nèi)存那令人驚嘆的傳輸速度、轉(zhuǎn)而使用速度更慢但容量更大的閃存方案。以下是全新混合型方案的適用方向：

在內(nèi)存中保存大型數(shù)據(jù)庫;

在NAND前端利用DRAM緩存替代固態(tài)硬盤;

具備閃存交換空間的DRAM模塊;

DRAM輔助下的閃存塊存儲(chǔ)。

美光公司的HDIMM在容量方面已經(jīng)有望突破256GB，該公司還希望微軟的Windows操作系統(tǒng)能夠?qū)ζ浞桨柑峁┢脚_(tái)支持。微軟公司已經(jīng)對(duì)這一概念表達(dá)了關(guān)注，但并沒有做出明確承諾。這種技術(shù)真能一飛沖天嗎?以目前的參數(shù)來看，其發(fā)展前景還是有一定保障的，但前提在于其它DRAM及閃存廠商對(duì)此表現(xiàn)出足夠的興趣，且能夠招徠各操作系統(tǒng)平臺(tái)的廣泛支持。