閃存中的SLC、MLC和TLC
整理自網(wǎng)絡(luò) 發(fā)表于:12年10月25日 15:27 [轉(zhuǎn)載] DOIT.com.cn
SLC
傳統(tǒng)上,每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)1個(gè)信息比特,稱為單階存儲(chǔ)單元(Single-Level Cell,SLC),使用這種存儲(chǔ)單元的閃存也稱為單階存儲(chǔ)單元閃存(SLC flash memory),或簡(jiǎn)稱SLC閃存。SLC閃存的優(yōu)點(diǎn)是傳輸速度更快,功率消耗更低和存儲(chǔ)單元的壽命更長(zhǎng)。然而,由于每個(gè)存儲(chǔ)單元包含的信息較少,其每百萬字節(jié)需花費(fèi)較高的成本來生產(chǎn)。由于快速的傳輸速度,SLC閃存技術(shù)會(huì)用在高性能的儲(chǔ)存卡。
MLC
多階存儲(chǔ)單元(Multi-Level Cell,MLC)可以在每個(gè)存儲(chǔ)單元內(nèi)存儲(chǔ)2個(gè)以上的信息比特,其“多階”指的是電荷充電有多個(gè)能階(即多個(gè)電壓值),如此便能存儲(chǔ)多個(gè)比特的值于每個(gè)存儲(chǔ)單元中。借由每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)更多的比特,MLC閃存可降低生產(chǎn)成本,但比起SLC閃存,其傳輸速度較慢,功率消耗較高和存儲(chǔ)單元的壽命較低,因此MLC閃存技術(shù)會(huì)用在標(biāo)準(zhǔn)型的儲(chǔ)存卡。另外,如飛索半導(dǎo)體的MirrorBit®技術(shù),也是屬于這一類技術(shù)。
TLC
三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell,TLC),這種架構(gòu)的原理與MLC類似,但可以在每個(gè)儲(chǔ)存單元內(nèi)儲(chǔ)存3個(gè)信息比特。TLC的寫入速度比SLC和MLC慢,壽命也比SLC和MLC短,大約500~1000次。
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