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三星開始試驗用于服務(wù)器的16GB DDR4寄存器內(nèi)存(RDIMM)。

三星是目前最大的DRAM提供商，如今已經(jīng)開始對采用30nm工藝、用于服務(wù)器的16GB DDR4 RDIMM內(nèi)存樣品進(jìn)行試驗。三星表示，自上個月起，其8GB和16GB DDR4內(nèi)存模塊就已經(jīng)提供給CPU及內(nèi)存控制器廠商進(jìn)行測試。

三星公布了一些DDR4 RDIMM內(nèi)存的細(xì)節(jié)，例如工作電壓為1.2V，相比DDR3內(nèi)存模塊要低很多(普通DDR3內(nèi)存電壓為1.5V，低電壓LDIMM內(nèi)存為1.35V)。三星還表示明年將會推出3.2Gb/s速度的DDR4模塊。

三星電子內(nèi)存營銷執(zhí)行副總裁Wanhoon Hong表示：“通過新的高密度的DDR4內(nèi)存模塊，三星和CPU及服務(wù)器廠商在開發(fā)新一代綠色I(xiàn)T系統(tǒng)方面能夠更加緊密的合作。”Wanhoon Hong介紹說，三星將積極進(jìn)入包括企業(yè)級服務(wù)器在內(nèi)的高端市場，保持其綠色內(nèi)存產(chǎn)品的競爭力，并致力于20nm級別DDR4 DRAM的工作。

JEDEC(電子器件工程聯(lián)合委員會)預(yù)計DDR4規(guī)格能夠在8月份確定，三星表示預(yù)計明年開始量產(chǎn)20nm DDR4內(nèi)存模塊，容量可達(dá)32GB。